RUE002N02TL概述
RUE002N02 N 沟道 20 V 4.8 Ω 表面贴装 开关 Mosfet - EMT-3
N 通道 MOSFET ，ROHM
### MOSFET 晶体管，
得捷:
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3
立创商城:
N沟道 20V 200mA
欧时:
ROHM Si N沟道 MOSFET RUE002N02TL, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 EMT封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
RUE002N02TL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SC-75-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUE002N02TL引脚图与封装图 
在线购买RUE002N02TL
型号： RUE002N02TL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：RUE002N02 N 沟道 20 V 4.8 Ω 表面贴装 开关 Mosfet - EMT-3