RW1C025ZPT2CR概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V
P-Channel 20V 2.5A Ta 700mW Ta Surface Mount 6-WEMT
得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.5A 6-Pin WEMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin WEMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.5A 6-Pin WEMT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
RW1C025ZPT2CR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.048 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 0.7 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1300pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WEMT-6
外形尺寸
封装 WEMT-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RW1C025ZPT2CR引脚图与封装图 
在线购买RW1C025ZPT2CR
型号： RW1C025ZPT2CR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -1 V