RRR040P03 系列 -30 V ± 4 A 45 mOhm 表面贴装 硅 P-沟道 Mosfet - TSMT-3
P-Channel 30V 4A Ta 1W Ta Surface Mount TSMT3
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针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1000pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RRR040P03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RQ5E040RPTL 罗姆半导体 | 功能相似 | RRR040P03TL和RQ5E040RPTL的区别 |