RUM003N02T2L概述
ROHM RUM003N02T2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 20 V, 700 mohm, 4 V, 300 mV
表面贴装型 N 通道 300mA（Ta） 150mW（Ta） VMT3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
立创商城:
RUM003N02T2L
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 20 V, 0.7 ohm, 4 V, 300 mV
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin VMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A Automotive 3-Pin VMT T/R
儒卓力:
**N-CHAN.MOSFET+ESD 20V 0,3A VMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
RUM003N02T2L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
外形尺寸
封装 SOT-723
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
RUM003N02T2L引脚图与封装图 
在线购买RUM003N02T2L
型号： RUM003N02T2L
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM RUM003N02T2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 20 V, 700 mohm, 4 V, 300 mV