EMT N-CH 20V 0.3A
表面贴装型 N 通道 20 V 300mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
得捷:
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
贸泽:
MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin EMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin EMT T/R
儒卓力:
**N-CHAN.MOS-FET 0,3A 20V EMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.3A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RUE003N02TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK3019TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RUE003N02TL和2SK3019TL的区别 |
2N7002ET1G 安森美 | 功能相似 | RUE003N02TL和2N7002ET1G的区别 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | RUE003N02TL和BSS123-7-F的区别 |