RTQ020N03TR 编带
表面贴装型 N 通道 2A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
得捷:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
立创商城:
N沟道 30V 2A
贸泽:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 0.194 ohm, 4.5 V, 1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.194 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 135pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.95 mm
封装 TSOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RTQ020N03TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC855N 飞兆/仙童 | 功能相似 | RTQ020N03TR和FDC855N的区别 |
SI3456DDV-T1-GE3 威世 | 功能相似 | RTQ020N03TR和SI3456DDV-T1-GE3的区别 |