N-沟道 200 mW 30 V 0.42 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - SC-59
表面贴装型 N 通道 500mA（Ta） 200mW（Ta） SMT3
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MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
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RJK005N03T146
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MOSFET N-CH 30V 500MA
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.5A 3-Pin SMT T/R
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**N-CH MOSFET+ESD 30V 0,5 SMT3 **
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-346
额定电压DC 30.0 V
额定电流 500 mA
通道数 1
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 60pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 31 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RJK005N03T146 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDV303N 飞兆/仙童 | 功能相似 | RJK005N03T146和FDV303N的区别 |