RTR040N03TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RTR040N03TL概述

ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

The is a N-channel middle Power MOSFET offers 30V drain source voltage and ±4A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.

.: Low ON-resistance

.: Built-in G-S protection diode

.: Small surface-mount package

.: -55 to 150°C Operating junction temperature range

RTR040N03TL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.066 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 475pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.60 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用电源管理, Industrial, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

RTR040N03TL引脚图与封装图

在线购买RTR040N03TL

型号： RTR040N03TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：ROHM RTR040N03TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 4 A, 30 V, 66 mohm, 4.5 V, 1.5 V

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