ROHM RQ3E120BNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 12A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin HSMT EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin HSMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin HSMT EP T/R
Newark:
# ROHM RQ3E120BNTB MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 2.5 V
针脚数 8
漏源极电阻 0.0066 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1500pF @15VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
封装 HSMT-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
