RSU002P03T106概述
4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET
二极管与整流器
得捷:
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
立创商城:
P沟道 30V 200mA
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.25A 3-Pin UMT T/R
儒卓力:
**P-CH -30V 0,2A 1400mOhm SOT-323 **
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 0.25A SOT-323
RSU002P03T106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -200 mA
通道数 1
漏源极电阻 1.60 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.2 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 30pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 40 ns
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
RSU002P03T106引脚图与封装图 
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