RUR020N02TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RUR020N02TL概述

RUR020N02 系列 20 V 2 A 2 nC 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TSMT-3

N 通道 MOSFET ，ROHM

得捷:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

欧时:
ROHM RUR020N02 系列 N沟道 MOSFET RUR020N02TL, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装

立创商城:
N沟道 20V 2A

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 2A 3-Pin TSMT T/R

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Win Source:
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

RUR020N02TL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 N-CH

耗散功率 1 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 180pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RUR020N02TL引脚图与封装图

在线购买RUR020N02TL

型号： RUR020N02TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：RUR020N02 系列 20 V 2 A 2 nC 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TSMT-3

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替代型号RUR020N02TL

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