RTQ035N03TR

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RTQ035N03TR概述

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MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6


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ROHM Si N沟道 MOSFET RTQ035N03TR, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装


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RTQ035N03TR中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 3.50 A

针脚数 6

漏源极电阻 0.038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 285pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.9 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RTQ035N03TR引脚图与封装图
RTQ035N03TR引脚图
RTQ035N03TR封装图
RTQ035N03TR封装焊盘图
在线购买RTQ035N03TR
型号: RTQ035N03TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM
替代型号RTQ035N03TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RTQ035N03TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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