P 沟道 1.25 W -30 V 95 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TSMT-3
P-Channel 30V 3.5A Ta 1.25W Ta Surface Mount TSMT6 SC-95
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**P-CHAN.-FET VGSon 4V 3,5A TSMT6 **
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MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.50 A
漏源极电阻 700 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 780pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 TSOT-23-6
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSQ035P03TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NTGS5120PT1G 安森美 | 功能相似 | RSQ035P03TR和NTGS5120PT1G的区别 |
NTGS3136PT1G 安森美 | 功能相似 | RSQ035P03TR和NTGS3136PT1G的区别 |