RTE002P02TL概述
P沟道 20V 200mA
表面贴装型 P 通道 20 V 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3
立创商城:
P沟道 20V 200mA
得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3
贸泽:
MOSFET P-CH 20V 200MA SOT416
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416
RTE002P02TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -200 mA
漏源极电阻 2 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.7 mm
封装 SOT-416-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RTE002P02TL引脚图与封装图 
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