N 沟道 1 W 30 V 133 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3
二极管与整流器
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额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 220pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RTR025N03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK3019TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RTR025N03TL和2SK3019TL的区别 |
2SK3018T106 罗姆半导体 | 类似代替 | RTR025N03TL和2SK3018T106的区别 |
2N7002ET1G 安森美 | 功能相似 | RTR025N03TL和2N7002ET1G的区别 |