RTF025N03TL

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RTF025N03TL概述

N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3

表面贴装型 N 通道 2.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3


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MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3


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Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.5A 3-Pin TUMT T/R


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Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TUMT T/R


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MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3


RTF025N03TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.50 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 48 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 800 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 270pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.7 mm

高度 0.77 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RTF025N03TL引脚图与封装图
RTF025N03TL引脚图
RTF025N03TL封装图
RTF025N03TL封装焊盘图
在线购买RTF025N03TL
型号: RTF025N03TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3
替代型号RTF025N03TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RTF025N03TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RTF015N03TL

罗姆半导体

类似代替

RTF025N03TL和RTF015N03TL的区别

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