








N-沟道 0.8 W 30 V 98 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TUMT-3
表面贴装型 N 通道 2.5A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
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MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
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N沟道 30V 2.5A
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Verical:
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MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.50 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 48 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 800 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 270pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RTF025N03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RTF015N03TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RTF025N03TL和RTF015N03TL的区别 |