ROHM RTR020N05TL 晶体管, MOSFET, 低栅极阈值电压, N沟道, 2 A, 45 V, 250 mohm, 4.5 V, 1.5 V
N 通道 MOSFET ,ROHM
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MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
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ROHM Si N沟道 MOSFET RTR020N05TL, 8 A, Vds=45 V, 3引脚 TSMT封装
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RTR020N05 系列 N-沟道 45 V 180 mOhm 1 W 表面贴装 Mosfet - TSMT-3
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**N-CHAN-FET VGSon2,5V 2A TSMT3 **
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MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 45 V
漏源击穿电压 45 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 200pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RTR020N05TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RQ5H020TNTL 罗姆半导体 | 功能相似 | RTR020N05TL和RQ5H020TNTL的区别 |