RRL035P03TR概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V
表面贴装型 P 通道 30 V 3.5A（Ta） 320mW（Ta） TUMT6
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
贸泽:
MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 3.5 A, 0.036 ohm, TUMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TUMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TUMT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
RRL035P03TR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 50 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 800pF @10VVds
额定功率Max 320 mW
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRL035P03TR引脚图与封装图 
在线购买RRL035P03TR
型号： RRL035P03TR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.036 ohm, -10 V, -2.5 V