RZQ045P01TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RZQ045P01TR概述

P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3

P-Channel 12V 4.5A Ta 1.25W Ta Surface Mount TSMT6 SC-95

立创商城:
P沟道 12V 4.5A

得捷:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

RZQ045P01TR中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 1.25W Ta

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 75 ns

输入电容Ciss 2450pF @6VVds

下降时间 215 ns

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

宽度 1.6 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RZQ045P01TR引脚图与封装图

在线购买RZQ045P01TR

型号： RZQ045P01TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：P 沟道 1.25 W -12 V 100 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT-3