RQ1A060ZPTR概述
RQ1A060ZPTR 编带
表面贴装型 P 通道 6A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
得捷:
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
立创商城:
P沟道 12V 6A
贸泽:
MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -6A
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 8-Pin TSMT T/R
儒卓力:
**P-CH+ESD -12V -6A 23mOhm TSMT8 **
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
RQ1A060ZPTR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 16 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 105 ns
输入电容Ciss 2800pF @6VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 230 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSMT-8
外形尺寸
封装 TSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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