低导通电阻。 (570mΩ在2.5V)高功率封装。高速开关。低电压驱动
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.1Ω @-1.5A,-4.5V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.7--2.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| Features Low on-resistance. 570mΩ at 2.5V High power package. High speed switching. Low voltage drive. 2.5V 描述与应用| 低导通电阻。 (570mΩ在2.5V) 高功率封装。 高速开关。 低电压驱动
得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
贸泽:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin TUMT T/R
儒卓力:
**P-CHANNEL MOSFET 20V 1,5A TUMT3 **
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.50 A
漏源极电阻 180 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.50 A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 560pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99