RS1E180BNTB参数规格_中文资料_数据手册PDF

RS1E180BNTB概述

HSOP N-CH 30V 18A

MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

立创商城:
RS1E180BNTB

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSOP EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSOP EP T/R

RS1E180BNTB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2400pF @15VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RS1E180BNTB引脚图与封装图

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型号： RS1E180BNTB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：HSOP N-CH 30V 18A