ROHM RSF010P03TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V
表面贴装型 P 通道 1A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
得捷:
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
贸泽:
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -1A
e络盟:
ROHM RSF010P03TL 晶体管, MOSFET, P沟道, -1 A, -30 V, 350 mohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1A 3-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin TUMT T/R
富昌:
P 沟道 30 V 630 mOhm 0.8 W 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TUMT-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 1A 3-Pin TUMT T/R
儒卓力:
**P-CHANNEL MOSFET 30V 1A TUMT3 **
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 1A TUMT3
针脚数 3
漏源极电阻 350 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -1.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 120pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99