ROHM RSR025N03TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel middle Power MOSFET offers 30V drain source voltage and ±2.5A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.
额定电压DC 30.0 V
额定电流 2.50 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 165pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RSR025N03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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