RSR025N03TL

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RSR025N03TL概述

ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a N-channel middle Power MOSFET offers 30V drain source voltage and ±2.5A continuous drain current. It is suitable for use in switching applications.

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Low ON-resistance
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Built-in G-S protection diode
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Small surface-mount package
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-55 to 150°C Operating junction temperature range
RSR025N03TL中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 2.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.07 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 165pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Power Management, 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RSR025N03TL引脚图与封装图
RSR025N03TL引脚图
RSR025N03TL封装图
RSR025N03TL封装焊盘图
在线购买RSR025N03TL
型号: RSR025N03TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RSR025N03TL  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 70 mohm, 10 V, 2.5 V
替代型号RSR025N03TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSR025N03TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

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