










ROHM RUR040N02TL 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 300 mV
N 通道 MOSFET ,ROHM
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ROHM Si N沟道 MOSFET RUR040N02TL, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装
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Win Source:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
针脚数 3
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 680pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RUR040N02TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
2SK3019TL 罗姆半导体 | 类似代替 | RUR040N02TL和2SK3019TL的区别 |
2N7002ET1G 安森美 | 功能相似 | RUR040N02TL和2N7002ET1G的区别 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | RUR040N02TL和BSS123-7-F的区别 |