RF4E110BNTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RF4E110BNTR概述

N沟道 30V 11A

N-Channel 30V 11A Ta 2W Ta Surface Mount HUML2020L8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8

立创商城:
N沟道 30V 11A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R

RF4E110BNTR中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 2 W

阈值电压 2 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 1200pF @15VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN2020-8

外形尺寸

封装 DFN2020-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RF4E110BNTR引脚图与封装图

在线购买RF4E110BNTR

型号： RF4E110BNTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：N沟道 30V 11A