RTR025P02TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

RTR025P02TL概述

P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3

P-Channel 20V 2.5A Ta 1W Ta Surface Mount TSMT3

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P沟道 20V 2.5A

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MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin TSMT T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.5A 3-Pin TSMT T/R

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MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

RTR025P02TL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -2.50 A

通道数 1

漏源极电阻 115 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 2.50 A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 630pF @10VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

RTR025P02TL引脚图与封装图

在线购买RTR025P02TL

型号： RTR025P02TL

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：P-沟道 1 W -20 V 160 mOhm 表面贴装 2.5 V 驱动 MosFet - TSMT -3

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替代型号RTR025P02TL

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