RF4E080GNTR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RF4E080GNTR概述

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML

N-Channel 30V 8A Ta 2W Ta Surface Mount HUML2020L8

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HUML EP T/R

RF4E080GNTR中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.6 ns

输入电容Ciss 295pF @15VVds

下降时间 2.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN2020-8

外形尺寸

封装 DFN2020-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

RF4E080GNTR引脚图与封装图

在线购买RF4E080GNTR

型号： RF4E080GNTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML