RTQ045N03TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RTQ045N03TR概述

2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET

表面贴装型 N 通道 30 V 4.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6

RTQ045N03TR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 4.50 A

漏源极电阻 420 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 540pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RTQ045N03TR引脚图与封装图

在线购买RTQ045N03TR

型号： RTQ045N03TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET

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替代型号RTQ045N03TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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