P-沟道 1 W 12 V 36 mOhm 表面贴装 MosFet - TUMT-6
表面贴装型 P 通道 12V 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
得捷: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
安富利: Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-Pin TUMT
DeviceMart: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
Win Source: MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 12 V
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1940pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 180 ns
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 TUMT-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册