RUQ050N02TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

RUQ050N02TR概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

表面贴装型 N 通道 5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）

得捷:
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin TSMT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

RUQ050N02TR中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.25 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 900pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 100 ns

耗散功率Max 1.25W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RUQ050N02TR引脚图与封装图

在线购买RUQ050N02TR

型号： RUQ050N02TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 20 V, 0.022 ohm, 4.5 V, 1 V

替代型号RUQ050N02TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RUQ050N02TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
RQ6C050UNTR 罗姆半导体	完全替代	RUQ050N02TR和RQ6C050UNTR的区别
FDC637BNZ 飞兆/仙童	功能相似	RUQ050N02TR和FDC637BNZ的区别
NTGS3130NT1G 安森美	功能相似	RUQ050N02TR和NTGS3130NT1G的区别