RS1E320GNTB参数规格_中文资料_数据手册PDF

RS1E320GNTB概述

HSOP N-CH 30V 32A

N-Channel 30V 32A Ta 3W Ta, 34.6W Tc Surface Mount 8-HSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A 8HSOP

安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSOP8SINGLE, NCH, DISCRETE

RS1E320GNTB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3W Ta, 34.6W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 32A

输入电容Ciss 2850pF @15VVds

耗散功率Max 3W Ta, 34.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

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型号： RS1E320GNTB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：HSOP N-CH 30V 32A