RQ3E180AJTB参数规格_中文资料_数据手册PDF

RQ3E180AJTB概述

Mosfet n-Ch 30V 18A Hsmr8

表面贴装型 N 通道 18A（Ta），30A（Tc） 2W（Ta），30W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）

得捷:
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V ±30A 8-Pin HSMT Emboss T/R

RQ3E180AJTB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 4290pF @15VVds

下降时间 160 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

RQ3E180AJTB引脚图与封装图

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型号： RQ3E180AJTB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Mosfet n-Ch 30V 18A Hsmr8