RMW200N03TB参数规格_中文资料_数据手册PDF

RMW200N03TB概述

SOP N-CH 30V 20A

表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP

贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 20A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin SOP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 20A 8-Pin SOP T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP

DeviceMart:
MOSF N CH 30V 20A PSOP8

RMW200N03TB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1780pF @15VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RMW200N03TB

型号： RMW200N03TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N-CH 30V 20A

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替代型号RMW200N03TB

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