ROHM RZQ050P01TR 晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
P 通道 MOSFET ，ROHM
### MOSFET 晶体管，
欧时:
ROHM Si P沟道 MOSFET RZQ050P01TR, 5 A, Vds=12 V, 6引脚 TSMT封装
得捷:
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
贸泽:
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 12 V, 5 A, 0.019 ohm, TSMT, 表面安装
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A 6-Pin TSMT T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -5 A, -12 V, 0.019 ohm, -4.5 V, -300 mV
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6
针脚数 6
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 2850pF @6VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 225 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.95 mm
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RZQ050P01TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RQ6A050ZPTR 罗姆半导体 | 类似代替 | RZQ050P01TR和RQ6A050ZPTR的区别 |
RT1A050ZPTR 罗姆半导体 | 功能相似 | RZQ050P01TR和RT1A050ZPTR的区别 |