RQ3E130MNTB1概述
RQ3E130MNTB1 编带
N-Channel 30V 13A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
立创商城:
N沟道 30V 13A
贸泽:
MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSMT EP T/R
安富利:
RQ3E130MNTB1
RQ3E130MNTB1中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 5.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 840pF @15VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
外形尺寸
封装 HSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ3E130MNTB1引脚图与封装图 
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