P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6
表面贴装型 P 通道 30 V 4.5A（Ta） 600mW（Ta） TSMT6（SC-95）
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MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
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RRQ045P03TR
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R
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MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1350pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RRQ045P03TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RT1E050RPTR 罗姆半导体 | 功能相似 | RRQ045P03TR和RT1E050RPTR的区别 |