RT1A040ZPTR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 1.25W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 2350pF @6VVds
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RT1A040ZPTR引脚图与封装图 
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