RQ3E100MNTB1参数规格_中文资料_数据手册PDF

RQ3E100MNTB1概述

HSMT N-CH 30V 10A

N-Channel 30V 10A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

得捷:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

安富利:
RQ3E100MNTB1

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

RQ3E100MNTB1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 520pF @15VVds

下降时间 6 ns

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RQ3E100MNTB1引脚图与封装图

在线购买RQ3E100MNTB1

型号： RQ3E100MNTB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：HSMT N-CH 30V 10A