RRH100P03TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RRH100P03TB1概述

P-CH 4V

表面贴装型 P 通道 30 V 10A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP

得捷:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V ±10A 8-Pin SOP T/R

DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 10A SOP8

RRH100P03TB1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 650mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 3600pF @10VVds

下降时间 100 ns

耗散功率Max 650mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RRH100P03TB1

型号： RRH100P03TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：P-CH 4V

替代型号RRH100P03TB1

型号/品牌

代替类型

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

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RRH100P03GZETB

罗姆半导体

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