RQ1A070ZPTR

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RQ1A070ZPTR概述

P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM

P 通道 MOSFET ,ROHM


立创商城:
RQ1A070ZPTR


得捷:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8


欧时:
ROHM Si P沟道 MOSFET RQ1A070ZPTR, 7 A, Vds=12 V, 8引脚 TSMT封装


贸泽:
MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -7A


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8


DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8


RQ1A070ZPTR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 700mW Ta

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 7A

输入电容Ciss 7400pF @6VVds

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SMD-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2.8 mm

高度 0.8 mm

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RQ1A070ZPTR引脚图与封装图
RQ1A070ZPTR引脚图
RQ1A070ZPTR封装图
RQ1A070ZPTR封装焊盘图
在线购买RQ1A070ZPTR
型号: RQ1A070ZPTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM

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