晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 0.095 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 100V 10A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Transistor MOSFET N-CH 100V ±10A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 10A CPT3
针脚数 3
漏源极电阻 0.095 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 700pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSD100N10TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RD3P100SNTL1 罗姆半导体 | 完全替代 | RSD100N10TL和RD3P100SNTL1的区别 |