RMW130N03TB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 17.7 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 13A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 650pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号RMW130N03TB
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RMW130N03TB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RS1E130GNTB 罗姆半导体 | 功能相似 | RMW130N03TB和RS1E130GNTB的区别 |