R6015FNX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6015FNX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 600V 15A Ta 50W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

R6015FNX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1660pF @25VVds

下降时间 35 ns

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6015FNX引脚图与封装图

在线购买R6015FNX

型号： R6015FNX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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