R6015FNX

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R6015FNX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 600V 15A Ta 50W Tc Through Hole TO-220FM


得捷:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM


贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 15A


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM


R6015FNX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1660pF @25VVds

下降时间 35 ns

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6015FNX引脚图与封装图
R6015FNX引脚图
R6015FNX封装图
R6015FNX封装焊盘图
在线购买R6015FNX
型号: R6015FNX
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
替代型号R6015FNX
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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罗姆半导体

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