RS1E350BNTB概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 35A Ta 35W Tc Surface Mount 8-HSOP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 35 A, 0.0012 ohm, HSOP, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin HSOP EP T/R
RS1E350BNTB中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0012 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 35A
上升时间 215 ns
输入电容Ciss 7900pF @15VVds
下降时间 105 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
外形尺寸
封装 HSOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RS1E350BNTB引脚图与封装图 
在线购买RS1E350BNTB
型号： RS1E350BNTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.5 V