RSS090N03FU6TB

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RSS090N03FU6TB概述

SOP N-CH 30V 9A

表面贴装型 N 通道 9A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP


贸泽:
MOSFET 30V 9A N CHANNEL


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 9A 8-Pin SOP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC


RSS090N03FU6TB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 810pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4.4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买RSS090N03FU6TB
型号: RSS090N03FU6TB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:SOP N-CH 30V 9A
替代型号RSS090N03FU6TB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSS090N03FU6TB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RSS090N03TB

罗姆半导体

功能相似

RSS090N03FU6TB和RSS090N03TB的区别

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