N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor
N 通道 MOSFET ,ROHM
### MOSFET 晶体管,
得捷:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
欧时:
ROHM Si N沟道 MOSFET R6012ANX, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FM封装
贸泽:
MOSFET Nch 600V 12A MOSFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM
漏源极电阻 420 mΩ
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 35 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
高度 15.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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R6012ANX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
R8002ANX 罗姆半导体 | 类似代替 | R6012ANX和R8002ANX的区别 |