RT1A050ZPTR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RT1A050ZPTR概述

RT1A050ZPTR 编带

表面贴装型 P 通道 12 V 5A（Ta） 600mW（Ta） 8-TSST

立创商城:
P沟道 12V 5A

得捷:
MOSFET P-CH 12V 5A 8TSST

安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A 8-Pin TSST T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 5A 8-Pin TSST T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8

DeviceMart:
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8

RT1A050ZPTR中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 600mW Ta

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 5A

上升时间 95 ns

输入电容Ciss 2800pF @6VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 220 ns

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SMD-8

外形尺寸

封装 SMD-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RT1A050ZPTR引脚图与封装图

RT1A050ZPTR引脚图

RT1A050ZPTR封装图

RT1A050ZPTR封装焊盘图

在线购买RT1A050ZPTR

型号： RT1A050ZPTR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：RT1A050ZPTR 编带

替代型号RT1A050ZPTR

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

RT1A050ZPTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RZQ050P01TR

罗姆半导体

功能相似

RT1A050ZPTR和RZQ050P01TR的区别