R6020ANX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6020ANX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

通孔 N 通道 20A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

立创商城:
N沟道 600V 20A

贸泽:
MOSFET Nch 600V 20A MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

R6020ANX中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 85 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6020ANX引脚图与封装图

在线购买R6020ANX

型号： R6020ANX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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替代型号R6020ANX

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