RRH140P03TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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RRH140P03TB1概述

P沟道 30V 14A

表面贴装型 P 通道 30 V 14A（Ta） 650mW（Ta） 8-SOP

得捷:
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

立创商城:
P沟道 30V 14A

贸泽:
MOSFET Pch -30V -14A MOSFET

安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOP T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 30V 14A SOP8

DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 14A SOP8

RRH140P03TB1中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 7.3 mΩ

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

输入电容Ciss 8000pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 650mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RRH140P03TB1引脚图与封装图

RRH140P03TB1引脚图

RRH140P03TB1封装图

RRH140P03TB1封装焊盘图

在线购买RRH140P03TB1

型号： RRH140P03TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：P沟道 30V 14A

替代型号RRH140P03TB1

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

RRH140P03TB1

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RRH140P03GZETB

罗姆半导体

类似代替

RRH140P03TB1和RRH140P03GZETB的区别